| 
无线通讯的驱动者
 
RF Micro Devices 成立于1991，总公司座落在北卡罗来纳州
(Greensboro, NC)，1997年于NASDAQ上市。每年平均研发支出占总营业额约25%，由一群射频设计之专业研发团队所成立，设计工程师专精在无线通讯领域都据备相当完整射频积体电路(
RF Integrate Circuit) 设计经验平均年资超过25年以上，设计工程师占全公司总人数28%目前约1400人。
并且它也拥有多项专精制程技术，例如：AlGaAs、HBT
SiGe、BiCMOS、GaN、GaAs pHEMT、InGaP HBT...等，堪称世界一流的射频积体电路设计公司。本于对产品的价格竞争、品质要求、技术创新，该公司目前有8个设计中心，
6个分处于美国、1个为于Canada、1个于Denmark。
成立至今，已永有之客户都是全球一流公司，例如：Nokia,
Motorola, Samsung, Sony-Ericsson, Sony, Kyocera, Siemens, Fujitsu, Cisco,
3COM, HP, Delphi, Maxon...等。
提供四大区块市场应用之产品
手持式行无线动装置(Wireless
Handsets)
| GSM
功率放大模组 RF3110、RF3140、RF3133
|
 |
| 弦MA
& 弦MA2000 1X功率放大模组 RF3100.
RF6000 |
|
无线区域网路
(WLAN802.11A/B/G)
| Transceiver |
For
11B |
RF2958,RF2978 |
|
|
For
11G |
RF2959,RF2979* |
|
| Power
Amp |
For
11B |
RF5117,
RF5189, RF5190, RF2361 |
| |
For
11G |
RF5117,
RF5191, RF5163, RF5125* RF2163, RF2367, RF2370, RF2373 |
| |
For
11A |
RF5300 |
|
| FEM
module |
For
11B/G |
RF5926*,
RF5924* |
|
|
For
11A/G |
RF5324 |
|
| Baseband |
For
11B |
RF3000,
RF3002 |
*
avail in Q1'05 |
基础通讯射备(Wireless
Infrastructure)
 
篮芽与全球定位系统装置(Bluetooth
& GPS)应用。
Any
questions, please feel free to contact Sam Huang (Please
Leave Your Company Name, Office's Phone No., Fax No.and Address)
Thanks in advance.
|
